本报讯 近日，三菱电机宣布，将在截至2026年3月的5年内将之前宣布的投资计划翻一番，达到约2600亿日元（约合133亿元人民币），主要用于建设新的晶圆厂，以增加碳化硅功率半导体的产量。据悉，三菱电机2026年度SiC晶圆产能预计将扩增至2022年度的约5倍水平。

　　根据该计划，三菱电机预计将应对电动汽车对SiC功率半导体快速增长的需求，并扩大新应用市场。

　　据透露，新增投资的主要部分约1000亿日元，将用于建设新的8英寸SiC晶圆厂并加强相关生产设施。新工厂落址日本熊本县，将生产大直径8英寸SiC晶圆，引入具有最先进能源效率和高水平自动化生产效率的洁净室。据悉，新厂房将于2026年4月投产。

　　此外，三菱电机还将加强其位于该县合志市工厂的6英寸SiC晶圆的生产设施，扩增产能以满足该领域不断增长的需求。

　　半导体制造工程可大致分为在硅晶圆上形成电路的“前端制程”和进行组装、封测等的“后端制程”，三菱电机上述位于熊本县的2座工厂均专注于“前端制程”。在“后端制程”部分，三菱电机计划投资约100亿日元在Power Device Manufacturer（位于福冈市）内兴建新厂房。该工厂将整合目前分散在福冈地区的现有业务，用于功率半导体的组装和检查。集设计、开发、生产技术验证于一体，将大大提升公司的开发能力，便于及时量产以响应市场需求。

　　多年来，三菱电机在家电、工业设备和轨道车辆等领域引领SiC功率模块市场，包括全球首款空调和高铁SiC功率模块。（凌 文）