10月30日，中微公司（688012.SH）披露2026年第三季度报告。前三季度，公司实现营业收入约103.26亿元，同比增长28.08%，营收规模首次在前三季度突破百亿元关口；归属于上市公司股东的净利润约41.34亿元，同比增长241.31%。在AI算力需求持续爆发、全球半导体设备市场加速扩容、国内产业链自主可控需求不断提升的背景下，中微公司营收与利润双双创下同期新高。
高强度研发投入仍是这份成绩单的底色。前三季度，中微公司研发支出32.22亿元，同比增长约27.70%，占营业收入比例约31.20%，继续显著高于科创板上市公司平均水平。目前中微公司同时推进六大类、超20款新设备的研发，新产品开发周期已从过去的三至五年缩短至两年以内——研发投入的规模效应，正在利润端显现。
平台化战略全面落地，54种高端设备覆盖超30%前道设备
随着半导体器件设计和整体设计走向3D立体结构化，多重曝光和堆叠技术快速发展，等离子体刻蚀机、化学薄膜设备、湿法设备和量检测设备的重要性日益凸显，成为半导体设备增长最快的市场。中微公司始终站在先进制程工艺发展的最前沿，坚持技术的创新、产品的差异化和知识产权保护，绝不抄袭和复制国外的标配设备。
据介绍，目前，中微公司已开发出54种高端半导体设备，其中包括26种细分的单反应台反应腔和双反应台可单台独立操作的高能等离子体CCP及低能等离子体ICP刻蚀机，以及24种薄膜设备，涵盖MOCVD、PECVD、LPCVD、ALD、EPI设备，以及CMP和先进封装的光学量检测设备等。刻蚀和薄膜设备的加工精度已达到原子级水平。截至2026年9月底，中微公司已累计超过9300个反应台在国内外220余条生产线上实现量产，设备稳定性、工艺精度、量产适配性获得全球市场充分验证，平台化商业化布局成果丰硕。
报告期内，中微公司核心设备产品线持续推进。刻蚀设备方面，公司自主研发的CCP和ICP刻蚀设备已实现对95%以上应用需求的覆盖，超高深宽比刻蚀设备量产指标稳步提升，行业首创双反应台(Dual-Station)ICP刻蚀技术，已经达到0.2纳米的单原子水平，相当于一根头发丝直径的30万分之一。薄膜沉积设备方面，为先进存储器件和逻辑器件开发的LPCVD、ALD等十多款导体和介质薄膜设备已经顺利进入市场，设备性能完全达到国际领先水平EPI设备已顺利进入客户端量产验证阶段，薄膜设备的覆盖率不断增加。
平台化能力的形成并非一日之功。2026年上半年，中微公司完成对杭州众硅的控股权收购，实现对化学机械抛光（CMP）设备的覆盖，完成从"干法"向"干法+湿法"整体解决方案的关键跨越，成为国内同时拥有刻蚀、薄膜沉积、CMP、量检测四大前道核心工艺设备能力的综合设备平台厂商。在大平板显示设备领域，中微公司仅用18个月成功开发出OLED 8.6代线大平板PECVD设备，达到客户生产线±5%薄膜厚度均匀性要求，填补了国内在该领域的技术空白。
研发效率与劳动生产率双领先，人均年销售450万元比肩国际龙头
中微公司的高强度研发投入并未牺牲经营效率。自2012年至今，公司已连续14年保持平均年销售35%以上的增长，人均年销售额达到450万元，和国际领先的设备公司持平；劳动生产率远高于国际领先设备公司。同时，设备缺陷率低于国际领先厂商，综合竞争优势持续强化。
研发效率的提升得益于模块化开发策略。中微公司在此前曾表示，公司在开发新产品时，仅需针对性开发30%至40%特定的部分，剩余60%至70%的通用技术、结构组件均被模块化，达到成熟、可复用的状态。这一策略使新设备开发周期从传统的三至五年缩短至两年以内，推动公司在刻蚀、薄膜、CMP、量检测等多条产品线上快速铺开。
2030年覆盖60%以上高端设备市场，产能建设全面提速
面对全球半导体设备市场的持续扩容，中微公司正加速从约30%的前道集成电路设备产品覆盖率向更高目标迈进。中微公司明确未来几年将通过自主开发与外延并购，覆盖60%以上的集成电路高端设备市场和70%以上的先进封装设备市场，成为全球领先的高端设备平台型公司。在先进封装领域，公司布局已全面铺开，包括刻蚀、薄膜、CMP、镀铜、量检测和键合设备等。
产能建设提速方面，位于上海临港滴水湖畔、建筑面积约10万平方米的中微公司总部大楼暨研发中心已于2026年8月正式落成启用；广州华南总部研发及生产基地一期项目主体结构已于2026年7月封顶，计划2027年投产；成都研发及生产基地暨西南总部一期项目主体结构已于2026年8月封顶，预计2027年建成投产。未来五年，中微公司年生产能力预计将提升至700亿元以上。
根据国际半导体产业协会（SEMI）2026年年中预测，全球半导体设备市场销售额2026年将增长23.2%，达到1659亿美元，到2028年将创下历史新高，达到2295亿美元，AI基础设施扩展与先进存储技术投资是主要驱动力。“十五五”规划明确提出提高先进制程制造能力、加快发展关键装备。中微公司将以高强度研发投入、内生增长与外延并购相结合的发展策略，通过“三维立体发展”和平台化布局，不断提升在全球半导体设备市场的竞争力。
(责任编辑：佟明彪)
